igbt驱动芯片|基于IGBT芯片疲劳机理的关断时间可靠性模型

时间：2015-02-23 18:19:24 作者：孙俊忠；刘宾礼；

本文作者：孙俊忠；刘宾礼；成功正常投稿发表论文到《电力电子技术》2014年11期,引用请注明来源400期刊网！

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【摘要】：基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片疲劳机理,提出采用关断时间对IGBT健康状态进行监控的可靠性评估方法。采用理论分析与解析描述相结合的方法,建立了IGBT关断电流下降时间模型,进而通过研究IGBT关断时间特征量疲劳机理,建立了IGBT关断时间可靠性评估模型。仿真和实验验证了该模型的正确性与准确性。通过该模型可对IGBT的健康状况进行准确评估。
【论文正文预览】：FoundationProject:SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(No.51277178);NationalKeyBasicResearchProgramofChina(No.2013CB035601)l引言片的疲劳老化程度。在风力发电、远距离输电等大容量电能变*中,以大功率IGBT模块为代表的全控型电力电子器
【文章分类号】：TN322.8
【稿件关键词】：绝缘栅双极型晶体管疲劳机理关断时间可靠性模型
【参考文献】:

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【稿件标题】：igbt驱动芯片|基于IGBT芯片疲劳机理的关断时间可靠性模型
【作者单位】：海军潜艇学院动力操纵系;海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室;
【发表期刊期数】：《电力电子技术》2014年11期
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【版权所有人】：孙俊忠；刘宾礼；