电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电

时间：2014-12-23 10:42:41 作者：杨帅；汤晓燕；张玉明

本文作者：杨帅；汤晓燕；张玉明；宋庆文；张义门；成功正常投稿发表论文到《物理学报》2014年20期,引用请注明来源400期刊网！

如果您需要快速发表论文服务，请联系在线编辑！

【摘要】：SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET击穿电压的影响,在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下,P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时,半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%,这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低,工艺制造难度更低.
【论文正文预览】：SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超
【文章分类号】：TN386
【稿件关键词】：SiC半超结电荷失配
【参考文献】:

徐静平,李春霞,吴海平;4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析[J];物理学报;2005年06期
杨银堂;耿振海;段宝兴;贾护军;余涔;任丽丽;;具有部分超结的新型SiC SBD特性分析[J];物理学报;2010年01期
戴振清;杨克武;杨瑞霞;;SiO_2/SiC界面陷阱电荷近似计算的局限[J];半导体技术;2007年04期
韩茹;杨银堂;;带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析[J];固体电子学研究与进展;2007年01期
苗瑞霞;赵萍;刘维红;汤晓燕;;N型4H-SiC低温拉曼光谱特性[J];光谱学与光谱分析;2014年01期
高勇;马丽;张如亮;王冬芳;;n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响[J];物理学报;2011年04期
王玥;贺训军;吴昱明;吴群;梅金硕;李龙威;杨福杏;赵拓;李乐伟;;碳纳米管薄膜周期结构的太赫兹表面等离子波特性研究[J];物理学报;2011年10期
韩茹;杨银堂;;6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析[J];西安电子科技大学学报;2007年01期
汤晓燕;张玉明;张义门;;4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型[J];西安电子科技大学学报;2011年01期
刘静;郭飞;高勇;;超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化[J];物理学报;2014年04期
袁昊;汤晓燕;张义门;张玉明;宋庆文;杨霏;吴昊;;4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystalline silicon field plate termination[J];Chinese Physics B;2014年05期
黄海猛;超结器件的模型研究及优化设计[D];电子科技大学;2013年
刘明明;高温CMOS模拟运算放大电路的研究与设计[D];安徽大学;2010年
周乐;TrenchCoolMOS终端结结构设计和实现[D];上海交通大学;2011年
周国胆;具有超低漏电流的4H-SiC SJ JBS的研究[D];西安电子科技大学;2012年
李华超;两种新颖结构4H-SiC功率MOSFET的模拟与性能分析[D];西安电子科技大学;2013年
汤晓燕,张义门,张玉明;界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响[J];物理学报;2002年04期
R. K. Bhan,胡永清;热生长二氧化硅击穿电压与1,1,1三氯乙烷克分子浓度的关系[J];微电子学;1990年04期
何进;圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布[J];半导体情报;2001年01期
刘国柱;;作者声明[J];电子与封装;2011年06期
李梅素;瞬态电压抑制二极管在电路中的应用[J];无线电通信技术;2000年05期
陈星弼,李肇基,李忠民;关于圆柱边界突变结的击穿电压[J];半导体学报;1989年06期
何进,张兴,黄如;非对称线性缓变结击穿电压的解析计算[J];半导体情报;2000年04期
薄仕群,李彦波,张旭东;低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析[J];河北省科学院学报;1997年01期
李立;胡冬青;周东海;吴立成;;梯形侧壁槽结构超结MOSFET的仿真研究[J];电力电子技术;2012年12期
陈星弼,曾军;扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压[J];电子科技大学学报;1992年05期
段宝兴;黄勇光;张波;李肇基;;REBULF LDMOS实验结果及具有部分n~+浮空层结构的分析[J];半导体学报;2007年08期
孙伟锋;陈越政;钱钦松;;高压SOI-LIGBT特性研究[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年
李兆林;陈松;冯春林;;电容器介质直流、交流击穿电压值的对比研究[A];2010输变电年会论文集[C];2010年
吴撼宇;丛培天;蒯斌;王亮平;郭宁;;脉冲电压下水介质同轴传输线水开关击穿电压研究[A];四川省电子学会高能电子学专业委员会第四届学术交流会论文集[C];2005年
张福平;贺红亮;杜金梅;王海晏;刘高旻;张毅;;PZT-95/5陶瓷晶粒度对冲击波作用下击穿电压的影响[A];中国工程物理研究院科技年报（2003）[C];2003年
吴撼宇;丛培天;蒯斌;王亮平;郭宁;;“强光一号”加速器水开关击穿电压的不确定性初步研究[A];2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2006年
成都遥约编译;齐纳管定值器[N];电子报;2007年
武汉黄绍华;双向过压抑制二极管简介[N];电子报;2004年
山东李伟编译;荧光灯电子启动器[N];电子报;2005年
陈万军;基于电荷平衡的横向功率器件研究[D];电子科技大学;2007年
胡月;基于PSOI的高压LDMOS研究[D];武汉大学;2012年
高天龙;低击穿电压下氢氧等离子体直接合成过氧化氢[D];大连理工大学;2012年
叶毅;碳化硅SBD和MESFETs功率器件研究[D];电子科技大学;2009年
李惟一;新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究[D];复旦大学;2011年
冷怡;基于LDMOS结构的MOSFET研究[D];电子科技大学;2011年
周贤达;曲率效应对PN结击穿电压的有效作用[D];电子科技大学;2008年
薛华虎;一种IGBT芯片的剖析[D];哈尔滨工业大学;2009年
习毓;射频LDMOS的击穿电压与静电保护[D];西安电子科技大学;2008年
刘驰;功率MOSFET击穿特性研究[D];西南交通大学;2012年
胡泽先;高压IGBT的建模与仿真[D];哈尔滨工业大学;2009年
周乐;TrenchCoolMOS终端结结构设计和实现[D];上海交通大学;2011年

【稿件标题】：电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响
【作者单位】：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
【发表期刊期数】：《物理学报》2014年20期
【期刊简介】：《物理学报》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊，物理学报杂志具有正规的双刊号，其中国内统一刊号：CN11-1958/O4，国际刊号：ISSN1000-3290。物理学报杂志社由中国科学院主管、主办，本刊为刊。自创刊以来，被公认誉为具有业......更多物理学报信息
【版权所有人】：杨帅；汤晓燕；张玉明；宋庆文；张义门；