Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管

时间：2014-12-23 17:01:03 作者：刘战辉；张李骊；李庆

本文作者：刘战辉；张李骊；李庆芳；张荣；修向前；谢自力；单云；成功正常投稿发表论文到《物理学报》2014年20期,引用请注明来源400期刊网！

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【摘要】：分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征.结果表明,相对于Si(111)上生长LED样品,Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好,样品中存在较小的张应力,具有较高的内量子效率.对制备的LED芯片进行光电特性分析测试表明,两种衬底上制备的LED芯片等效串联电阻相差不大,在大电流注入下内量子效率下降较小;但是,相比于Si(111)上制备LED芯片,Si(110)上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性.对LED器件电致发光(EL)发光峰随驱动电流的变化研究发现,由于Si(110)衬底上LED结构中阱层和垒层存在较小的应力/应变而在器件中产生较弱的量子限制斯塔克效应,致使Si(110)上LED芯片EL发光峰随驱动电流的蓝移量更小.
【论文正文预览】：分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征.结果表明,相对于Si(111)上生长LED样品,Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好,样品中存
【文章分类号】：TN312.8
【稿件关键词】：硅衬底InGaN/GaN多量子阱发光二极管
【参考文献】:

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【稿件标题】：Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管
【作者单位】：南京信息工程大学物理与光电工程学院;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室;南京晓庄学院生物化工与环境工程学院;
【发表期刊期数】：《物理学报》2014年20期
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【版权所有人】：刘战辉；张李骊；李庆芳；张荣；修向前；谢自力；单云；

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